9.1 一般注意事项

1) 环境

使用半导体设备的作业环境中，静电级别一般以 100[V] 以下为标准。因此，不要在作业场所中放置容易产生静电的物质，并需要在干燥期进行加湿。

2) 作业

在作业现场，请勿使用化学纤维和塑料等容易带电的绝缘物质，而应使用导电物品。
特别在使用不耐静电的半导体设备时，除了使用防静电材料或放入导电容器进行保管，穿戴防静电工作服和导电鞋，同时也要根据需要，安装加湿器和除静电器。

3) 定期检查

请定期确认防静电措施的效果。
请定期检查工序的静电产生量、设备、夹具、防静电手环接地线的断线、除静电器的除电能力。尤其是除静电器，如果不按照使用说明书对针头定期进行清扫和更换，其除电能力会降低，敬请注意。

9.2 作业时的防静电措施

1) 设备、夹具

将试验机器、传送带、作业台、地板垫布、工具、焊锡槽、焊烙铁等进行接地，以免静电积聚。

使用导电作业台，并用未进行涂装处理的铜质金属板和导电垫布等覆盖，地上铺设导电地板或导电垫布，并分别进行接地。

使用具导电性的平板车和椅子并接地。移动平板车等请使用金属链或导电带与导电地板接地。

请使用导线型防静电手环并进行接地。无线型不去除带电电位，人体仍残留 200[V] 左右的电荷。
对防静电手环进行接地时，不要使用鳄口夹和弹簧夹固定在地线上，而应使用防静电手环专用的接地夹具。如果使用鳄口夹每次将裸铜线插入接地，时间长了裸铜线的表面会发生氧化，使其无法充分发挥效果。

请根据需要使用加湿器。
湿度在 30~40% 以下时，静电会急剧产生。因此，作为半导体设备的作业环境，湿度应保持在 45% 以上为宜。
穿着人造革鞋在地毯上行走的人体带有相当数量的静电，以下显示了其相对于湿度的变化示意图，以及产生环境下静电产生量与湿度之间的关系。

此外，根据美国国防部手册：DOD-HDBK-263，不同环境下静电产生量与湿度的关系如下所示。

使用加湿器时，建议使用纯净水，以防止引脚端子生锈。使用自来水时，请通过煮沸等除去会引起生锈的氯气后使用。
半导体设备常用的塑料包装袋，多采用环氧基类树脂，容易吸湿，在高湿度环境下保管会导致其特性变差，引脚端子易生锈。防潮包装品尤其容易受到影响，敬请注意。

请根据需要使用除静电器。
使用除静电器以中和产生的静电时，应考虑除静电器的有效中和范围，并在安装后固定主体以免方向发生变化。
此外，使用脉冲 DC 方式和脉冲 AC 方式的除静电器时，请根据与除电对象物体之间距离，设置合适的频率。
为了保持除静电器的除电性能，通常需采取如下所示的定期确认和定期维护。

<定期确认>

• 确认除静电能力
• 确认离子平衡

<定期维护>

• 电极针的针头清扫（每月 1 次，使用酒精清洁针头）
• 定期更换电极针（根据针头材质，每 1 年或 2 年更换）

詳細は、ご使用のイオナイザーの取扱説明書ご確認いただき、不明な点はメーカーにお問い合わせください。

2) 作业人员

作业人员请穿戴防静电工作服和导电鞋，并使用防静电手环等进行人体接地。
请戴上手套，避免徒手触摸半导体设备。
鞋的电阻值通常在 100[KΩ]～100[MΩ] 为佳。另外，由于鞋底和地板的脏污会造成电阻值变化，使除静电效果降低，因此请定期进行清扫。

3) 作业方法

请使用半导体专用烙铁，并将烙铁头接地。
安装半导体设备时，请尽可能减少和缩短同一设备的操作次数和操作时间，短时间作业可防止半导体设备遭到损坏。

9.3 安装后的防静电措施

1) 保管

对安装半导体设备后的 PCB 基板进行保管和搬运时，请收纳在有导电性的袋子或容器中。另外，请使用铝箔或基板短路棒等对 PCB 基板的连接器进行短路处理。

2) 操作处理

对安装半导体设备后的 PCB 基板进行处理时，请使用防静电手环等将人体接地。与安装半导体设备时一样，处理 PCB 基板时请充分小心静电，在安装和拆卸连接器时，请务必切断电源后进行。

9.4 人体保护

作为防静电措施非常有效的人体接地装置，在作业人员触电时，人体将面临超出平常的危险。人体接地装置必须同时考虑防静电措施和人体保护这两方面。
通常，为了保护人体，会在人体和接地间串联接入电阻，但如果电阻值大，接地防静电效果就差；而如果电阻值小，则作业人员触电时会产生大电流，人体会面临危险。
一般情况下，人体和接地间的电阻值在 250[KΩ]～1[MΩ] 为佳。
市售的防静电手环通常也内置相同数值的电阻。

9.5 半导体设备的静电破坏模型

实际施加到半导体设备上的静电具有多种模式，而且每次的脉冲宽度也各不相同。
为了定量规定半导体设备的破坏耐量，目前已按国际标准规定了静电破坏模型，下列 1）到 4）为常用标准。

1) 人体带电模型（HBM：Human Body Model）

假设带电人体接触半导体设备，从人体向半导体设备进行放电的模型。
对C=100[pF] 容量施加电压进行充电，切断电源后，通过放电电阻 R=1.5[kΩ] 将容量积聚的能量向半导体设备放电。将半导体设备劣化时的施加电压视为静电破坏电压。

2) 机器模型（MM：Machine Model）

假设装置容量中的带电能量向半导体设备放电的模型。由于得到 JEITA 标准（旧 EIAJ 标准）的采用，所以也称为 JAPAN 模型，现在已降级为参考标准。
对 C=200[pF] 容量施加电压进行充电，切断电源后，通过放电电阻 R=0[Ω] 将容量积聚的能量向半导体设备放电。将半导体设备劣化时的施加电压视为静电破坏电压。

3) 设备带电模型（CDM：Charged Device Model）

该模型假设半导体设备与夹具等摩擦、接近带电物体后带静电，与引脚端子连接的芯片等内部零件带电，然后由引脚端子向外部放电。
在半导体设备的引脚端子和封装间施加电压使内部带电，切断电源后，通过放电电阻 R=1[Ω] 由引脚端子向 GND 放电。将半导体设备劣化时的施加电压视为静电破坏电压。

4) 封装带电模型（CPM：Charged Package Model）

该模型假设半导体设备的封装受高电场影响发生感应带电现象，从引脚端子向外部放电。
对半导体设备的封装施加高电压使其感应带电，通过放电电阻 R=0[Ω] 由引脚端子向 GND 放电。将半导体设备劣化时的施加电压视为静电破坏电压。