量产中

NR117K

封装图

封装名 : HSOP8

RoHS : YES

NR117K产品内置功率 MOSFET 的降压型开关稳压器集成电路。
采用电流控制方式,支持超低 ESR 陶瓷电容。
具有过电流保护、欠压动作停止、过热保护保护功能。
具有软启动功能,以防止启动时的浪涌电流。连接电容器后可设置软启动时间。NR110K通过外部信号开关的功能,可从外部向 EN 引脚输入信号来开启和关闭集成电路。
内置相位补偿电路,无需外接元件。
采用小而薄型 SOIC 8 引脚封装,内侧带有防热性优异的散热片。
为了提高轻负载时的效率,在某个负载电流下,动作频率会发生变化。

资料下载

特性

    • 最大效率87%
      (VIN = 12 V、Vo = 5 V、Io = 0.3 A)
      轻负载时最大效率68%
      (VIN = 12 V、Vo = 5 V、Io = 10 mA)
    • 电流模式PWM控制
    • 输出电容可采用超低ESR陶瓷电容
    • 内置相位补偿电路 无需外接元件
    • 软启动功能
      外置电容进行时间调整
    • 外部on/off功能
    • 考虑到EMI,频率设定为30 kHz
    • 保护功能
      过电流保护(OCP):垂下型自动恢复
      内置过热保护(TSD):自动恢复
      低压输入时误动作防止电路(UVLO)

应用

  • AV设备
  • 辅助电源

主要规格

功率器件 MOS内置
输出方式 可变
输出电压 24.0 V
输出电流 1.5 A
输入电压范围 8.0 ~31 V
振荡频率 30 kHz
同步/异步 非同步
电流模式控制 YES
最大输入电压 31.00 V
输出开/关
支持低ESR电容器 YES
过电流保护特性 垂下型
相位补偿 内置
过热保护
UVLO
质量 (Typ.) 0.081 g
车载品对应 NO

典型电路示例

典型电路示例

内部框图

内部框图

点击此处查看产品查询和咨询

如果您从阵容中找不到所需的产品,请随时与我们联系。