IGBTとは

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）は、入力部がMOS構造、出力部がバイポーラ構造のトランジスタです。入力インピーダンスが高くスイッチング速度が速いというMOSFETの特徴と、飽和電圧が低いというバイポーラトランジスタの特徴を合わせ持ったトランジスタです。
IGBTの構造についてはIGBTの構造を参照してください。

IGBTの特徴

パワーMOSFETおよびバイポーラトランジスタと比較した場合のIGBTの特徴を以下に示します。

項目	パワーMOSFET	バイポーラトランジスタ	IGBT
構造（矢印はドレイン電流／コレクタ電流の向き）	Nチャネル	NPN
回路図
制御方法	電圧制御	電流制御	電圧制御
駆動電力	小さい	大きい	小さい
スイッチング速度	高速	低速	中速
耐圧	30 V～800 V程度	50 V～800 V程度	400 V～1200 V程度
大電流化	容易（1 A～100 A程度）	困難（2 A～25 A程度）	容易（15 A～40 A程度）
用途例	低圧ステッピングモータ 低圧／高圧ブラシレスDCモータ スイッチング電源	オーディオ 低圧／高圧ブラシレスDCモータ ソレノイド	高圧ブラシレスDCモータ インバータ

IGBTの構造

IGBTの構造および特徴を以下に示します。パンチスルー型に比べ、ノンパンチスルー型やフィールドストップ型の方が、スイッチング速度が速い、低損失、薄厚化／小型化できるという特徴があります。

構造	パンチスルー型（PT型）	ノンパンチスルー型（NPT型）	フィールドストップ型（FS型）
断面図
スイッチング速度	低速	高速	高速
短絡耐量	低	高	中
製造難易度	容易	困難	困難